Samsung ha mostrado una nueva arquitectura de transistores vertical con la que busca superar el problema de densidad que plantean las opciones bidimensionales e impulsar el rendimiento de los chips.

Los fabricantes de chips se enfrentan al reto de diseñar componentes cada vez más pequeños pero que ofrezcan más potencia y sean más eficientes, un objetivo que está limitado por el tamaño de los transistores individuales, pero también por la forma en que estos se organizan y conectan entre sí.

FET apilado 3D es una nueva arquitectura de transistor que evoluciona directamente de la arquitectura GAA en...